什么是电池回忆效应？如何定期消除电池回忆？
来源：宝鄂实业
2019-07-16 20:02
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电池回忆效应是指电池的可逆失效，即电池失效后可从头回复的性能。电池长时刻经受特定的作业循环后，主动坚持这一特定的倾向。这个最早界说在镍镉电池，镍镉的袋式电池不存在回忆效应，烧结式电池有回忆效应。意思是说，电池如同回忆用户日常的充、放电幅度和形式，日久就很难改动这种形式，不能再做大幅度充电或放电。而现在的镍金属氢(俗称镍氢)电池不受这个回忆效应界说的约束，但有惰性，前几回要激活才行，一般能够充放电300-500次，过后就会发现继续时刻越来越短，短得你想换手机。用旧的电池包好放在冰箱里几天然后再用会有所提高性能。
由于传统工艺中负极为烧结式，镉晶粒较粗，假如镍镉电池在它们被彻底放电之前就从头充电，镉晶粒简单集合成块而使电池放电时构成次级放电渠道。要消除这种效应，有两种办法，一是选用小电流深度放电(如用0.1C放至0V)一是选用大电流充放电(如1C)几回。
在实际应用中，消除回忆效应的办法有严厉的规范和一个操作流程。操作不妥会适得其反。关于镍镉电池，正常的保护是定时深放电：均匀每运用一个月(或30次循环)进行一次深放电(放电到1.0V/每节，即exercise)，往常运用是尽量用光电池或用到关机等手法能够缓解回忆效应的构成，但这个不是exercise，由于仪器(如手机)是不会用到1.0V/每节才关机的，必需求专门的设备或线路来完成这项作业，幸好许多镍氢电池的充电器都带有这个功能。电池会贮存这一放电渠道并在下次循环中将其作为放电的终点，尽管电池本身的容量能够使电池放电到更低的渠道上。在以后的放电进程中电池将只记住这一低容量。同样在每一次运用中，任何一次不彻底的放电都将加深这一效应，使电池的容量变得更低。记忆效应-是针对镍镉电池而言的，由于传统工艺中负极为烧结式，镉晶粒较粗，如果镍镉电池在它们被完全放电之前就重新充电，镉晶粒容易聚集成块而使电池放电时形成次级放电平台。电池会储存这一放电平台并在下次循环中将其作为放电的终点，尽管电池本身的容量可以使电池放电到更低的平台上。在以后的放电过程中电池将只记得这一低容量。同样在每一次使用中，任何一次不完全的放电都将加深这一效应，使电池的容量变得更低。
不同电池各有特性，用户必须依照厂商说明书指示的方法进行充电。在待机备用状态下，电话也要消耗电池，如果要进行快速充电，宜先将手机关闭或把电池拆下进行充电。
有些主动化的智能型快速充电器当指示灯信号转变时，只表示充溢了90%，充电器会主动改用慢速充电将电池完全充溢。用户最好将电池完全充溢后运用，否则会缩短运用时间。
如果电池属镍镉电池，长期不彻底充、放电，会在电池内留下痕迹，降低电池容量，这种现象被称为电池回忆效应。
定期消除回忆的方法是把电池完全放电，然后重新充溢。放电可使用放电器或具有放电功能的充电器，也可以使用手机待机备用形式，如要加快放电可把显示屏及电话按键的照明灯翻开。要确保电池能重新充溢，应依照说明书的指示来控制时间，重复充、放电两至三次。无论是手机电池，还是其它电子产品的电池，在运用上都有必定的诀窍。
不同电池各有特性，用户必须依照厂商说明书指示的方法进行充电。在待机备用状态下，电话也要消耗电池，如果要进行快速充电，宜先将手机关闭或把电池拆下进行充电。
有些主动化的智能型快速充电器当指示灯信号转变时，只表示充溢了90%，充电器会主动改用慢速充电将电池完全充溢。用户最好将电池完全充溢后运用，否则会缩短运用时间。
如果电池属镍镉电池，长期不彻底充、放电，会在电池内留下痕迹，降低电池容量，这种现象被称为电池回忆效应。
定期消除回忆的方法是把电池完全放电，然后重新充溢。放电可使用放电器或具有放电功能的充电器，也可以使用手机待机备用形式，如要加快放电可把显示屏及电话按键的照明灯翻开。要确保电池能重新充溢，应依照说明书的指示来控制时间，重复充、放电两至三次。
电池的记忆效应指的因电池重复的部分充电与放电不完全而导致电池暂时性容量减小的现象。电池的记忆效应是可逆的，但却给使用者带来诸多的不便。一直以来，业界认为这一效应一般发生在镍镉电池中，镍氢电池则更为少见，锂电池则无此现象。现在发现锂电池中的磷酸铁锂电池同样拥有记忆效益，这着实让业界大吃一惊。
磷酸铁锂电池是作为下一代锂电池的代表，被发达国家，例如美国，作为两类最为重要动力电池之一。其拥有着与众不同的性能优势，充放电效率在85%~90%之间，优于普通的锂电池。
锂离子电池在使用的过程中需要频繁的充电，其最终报废一般因为自然衰老和长期的不使用。现在发现磷酸铁锂锂离子电池拥有记忆效应，这将影响业界对于锂电池的认识，也将进一步促进电池研发与生产厂家积极寻找新的材料来制作更加强大的电池。
多嘉（DOCA）所使用的锂电池电芯暂时并不包含磷酸铁锂锂离子电池，所以广大消费者不必担忧多嘉下属产品，例如移动电源，会因为电芯的记忆效应而在质量上出现瑕疵。
