非晶硅电池具有哪些优势？

(1)制造成本低。这是因为：①半导体层光吸收系数比晶体硅大一个数量级，电池厚度只需1μｍ左右，约为晶体硅电池的１／３００，可节省大量硅材料。②可笔直沉积出薄膜，没有切片损失。③可采用集成技术在电池制备过程中一次完成组件，工艺过程简单。④电池的ｐｉｎ结是在２００℃左右的温度下制造的，比晶体硅电池的８００～１０００℃的高温低得多，能源消耗小。⑤电池的单片面积可大到

 

０．７～１．０ｍ２，组装方便，易于实现大规模加工。

 

?２能源消耗的回收期短。每平方米非晶硅电池的加工能耗仅为１００ｋＷ·ｈ左右，能源回收期仅为ｌ～１．５ａ，比晶体硅低得多。

 

?３发电量多。据探测，在相同条件下，非晶硅电池的发电量较单晶硅电池高８％左右，较多晶硅电池高１３％左右。

 

?４售价低。目前约比晶体硅电池的售价约低１／４～１／３。

 

影响非晶硅电池作为地面电源使用的最主要问题，是效率低、稳定性差。目前试验室效率已达１５％，但加工中电池包件的稳定效率仅为５．５％～７．５％。引起效率低、稳定性差的主要原由是光诱导衰变，即所谓的Ｓ－Ｗ效应。用氢稀释硅烷办法生长的ａ－Ｓｉ和ａ－ＳｉＧｅ薄膜可以抑制光诱导衰变，提高效率。使用双叠层、三叠层或多叠层结构可以增加光谱应和，提高效率。但从工业化加工和地面电源使用的要求来看，问题还远未得到令人满意的处理，仍有许多工作要做。关于非晶硅电池的衰降问题，许多科研人员已进行多年的研究试验，并还在持续进行着，主要内容有：①高质量本征非晶硅材料的研究?包括晶化技术，减少光生亚稳态密度，提高稳定性。②高质量ｎ型和ｐ型非晶硅材料的研究，改善薄膜完整性，提高掺杂效率，加强内建电场，提高电池的稳定性。③改善非晶硅电池内部界面，降低界面态，减小界面复合，提高输运效率、转换效率和电池的稳定性。④优质ａ－Ｓｉ：Ｇｅ合金材料的研究，进一步完善双结、三结、多带隙非晶硅电池，提高效率和电池的稳定性。